当前位置: 首 页>>研究领域>>正文
磁电阻材料及磁性传感器
2016-07-18 16:14   审核人:

GMR效应和TMR效应的发现极大地推动了凝聚态物理学和信息存储领域的快速发展,其在计算机硬盘读头、MRAM以及线性传感器等信息领域已经被广泛的应用。近30年来,磁电阻效应的研究发展非常迅速,在基础研究和应用研究领域几乎齐头并进,已成为基础研究快速转化为商业应用的国际典范。本研究组主要开展金属/半导体复合薄膜室温磁电阻效应的产生机制和决定因素、半导体界面自旋注入效率、以及体系磁电反常输运现象的研究;同时,也开展L10-FePt基宽场线性磁敏传感器设计和原理方面的研究,通过参考层与自由层磁矩的垂直十字交叉结构实现磁电阻和外磁场的线性响应,研发具有特斯拉级范围的线性传感器。本研究课题已研制出线性传感器器件单元,在相关学术期刊发表论文近20篇,申请发明专利2项,承担1项国家自然科学基金项目和1项国家863计划项目。

关闭窗口